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当社ではⅢ族窒化物半導体薄膜、超伝導薄膜、誘電体薄膜などのエピタキシャル成長に最適なサファイア基板を提供しております。研究・開発から量産まで，ぜひお役立てください。 |
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・結晶欠陥が少ないサファイア単結晶を使用
・加工変質層が少ないエピタキシャル成長に適した表面
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| 結晶構造 |
三方晶コランダム型構造 |
| 格子定数 |
a=0.4759
nmc=1.299 nm |
| 融点 |
2040 ℃ |
| 密度 |
3.987 g/cm3 |
| 誘電率 |
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| 誘電損失 |
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| 耐圧強度 |
| (a軸方向) 6.93×10-6 /℃ |
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| (c軸方向) 7.63×10-6 /℃ |
(200 ℃) |
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| (a軸方向) 8.89×10-6 /℃ |
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| (c軸方向) 9.97×10-6 /℃ |
(1000 ℃) |
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●標準品 (太字以外は受注生産品です)
 マークの付いている製品には，ステップ基板加工の対応ができます。 |
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Al2O3 |
| 面方位 |
(0001) 、(01-12)、(11-20) 、(01-10) |
| サイズ |
10mm×10mm×0.5mmt 、15mm×15mm×0.5mmt、
φ50.8×0.325mmt、φ50.8×0.425mmt、
φ76.2×0.425mmt、φ76.2×0.525mmt、 |
| 研磨 |
片面／両面 |
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上記以外の仕様につきましても，ご相談ください。 |
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