弊社では、Ⅲ族窒化物半導体薄膜、超電導薄膜、誘電体薄膜など
エピタキシャル成長に最適なサファイア基板を提供しております。
当社オリジナルのTSMG法をもちいて結晶育成から加工まで社内で一貫生産しております。
サファイアの結晶品質、基板表面の加工品質、洗浄・梱包レベルの高さにおきましては
国内外で多くのお客様から高い評価をいただいております。
| 組成 | Al2O3 |
|---|---|
| 結晶系 | 三方晶系（菱面体晶系） |
| 結晶構造 | コランダム型構造 |
| 格子定数(nm) | a=0.47588, c=1.2992 （六方晶系表示※） |
| 融点(℃） | 2040 |
| 密度(g/cm3) | 3.987 |
| 育成方法 | TSMG法 |
| 誘電率 | (//c軸） 9.41 at 30 GHz |
| 誘電損失 | (//c軸) 3×10-5 at 30 GHz |
| 線膨張係数(10-6/℃) | a軸：6.93, c軸：7.63 at 200 ℃ a軸：8.89 , c軸：9.97 at 1000 ℃ |
※サファイアは正確には三方晶系（a=0.513 nm, α=55.1 °）ですが、一般的には六方晶系として扱われています。
サファイアのロッキングカーブ
サファイアの透過率 (c面 5mmt)
| サイズ(mm) （公差） |
10×10 15×15 (±0.1) |
φ50.8 (±0.25) |
φ76.2 (±0.25) |
|---|---|---|---|
| 厚み(mm) (公差±0.05) |
0.5 | 0.33、0.43 | 0.55 |
| 平坦度 (μm) |
<1 | <10 | <25 |
| 純度(%) | >99.99 | >99.99 | >99.99 |
| 面方位 （公差±0.5°） |
c面(0001) r面(01-12) a面(11-20) m面(10-10) |
c面(0001) r面(01-12) a面(11-20) m面(10-10) |
c面(0001) r面(01-12) a面(11-20) m面(10-10) |
| 研磨 | 片面, 両面 | 片面, 両面 | 片面, 両面 |
| 梱包 | 10枚 | 25枚、真空パック | 25枚、真空パック |
| オプション | STEP基板 OFF基板 ブレイク溝付き基板 |
STEP基板 OFF基板 レーザーマーキング |
STEP基板 OFF基板 レーザーマーキング |
※お客様のご要望により特殊仕様も承りますのでお問い合わせください。
