NaGaO3(110)は磁性体、強誘電体、超電導体の
エピタキシャル成長用基板として広く用いられています。
また(011)面は格子長や対称性がGaN(0001)に近いため、
GaN用エピタキシャル基板としても注目されています。
弊社では、CZ法による結晶成長から、基板加工まで一貫生産を行っております。
皆様の研究にぜひお役立て下さい。
| 組成 | NdGaO3 |
|---|---|
| 結晶系 | 直方晶（斜方晶）系 |
| 結晶構造 | ペロブスカイト構造 |
| 格子定数 | a=0.5431 nm b=0.5499 nm c=0.7710 nm |
| 融点 | 1650 ℃ |
| 密度 | 7.56 g/cm3 |
| 育成方法 | CZ法 |
| 誘電率 | 20～25 (27℃,1 MHz) |
| 熱膨張係数 | 10×10-6/℃ |
ネオジガレート結晶のロッキングカーブ
| サイズ (外形公差：±0.1mm 厚み公差：±0.05mm) |
10×10×0.5 t 15×15×0.5 t |
|---|---|
| 面方位 (公差：±0.5°） |
(100), (001) (110), (011) |
| 研磨 | 片面研磨、両面研磨 |
| 表面粗さ | Ra≦1.0 nm Rmax≦5.0 nm |
| 平坦度 (λ=632.8 nm) |
10×10×0.5 t 15×15×0.5 t |
| オプション | OFF基板 ブレイク溝付き基板 |
※お客様のご要望により特殊仕様も承りますのでお問い合わせください。
