CZ法による結晶成長から、基板加工まで一貫生産を行っております。
様々なエピタキシャル成長に最適なランタンアルミネート基板を皆様のご研究にお役立て下さい。
| 組成 | LaAlO3 |
|---|---|
| 結晶系 | 三方晶（擬立方晶）※ |
| 結晶構造 | 擬ペロブスカイト構造 |
| 格子定数 | a=0.379 nm （擬立方晶系表示） |
| 融点 | 2100 ℃ |
| 育成法 | CZ法 |
| 密度 | 6.52 g/cm3 (20 ℃) |
| 誘電率 | 15～22 (300 K, 1MHz) |
| 熱膨張係数 | 12.6×10-6/℃ |
| 相転移温度 | 420℃ （三方晶⇔立方晶） |
| 双晶 | 相転移に伴い発生 |
※LaAlO3は正確には三方晶（a=0.5357 nm, α=60.1°）ですが、一般的には擬立方晶あるいは六方晶系として扱われます
LaAlO3の透過率
| サイズ (外形公差：±0.1mm 厚み公差：±0.05mm) |
10×10×0.5 t 15×15×0.5 t |
|---|---|
| 面方位 (公差：±0.5°） |
(100), (110) ※擬立方晶系表示 |
| 研磨 | 片面研磨、両面研磨 |
| 表面粗さ | Ra≦1.0 nm Rmax≦5.0 nm |
| オプション | STEP基板 OFF基板 ブレイク溝付き基板 |
※お客様のご要望により特殊仕様も承りますのでお問い合わせください。
